SiC MOSFET驱动器
Uniedge SiC MOSFET 驱动专为高频宽禁带器件优化，具备高 CMTI、强抗干扰与快速瞬态响应能力，精准适配高频开关特性。可有效抑制关断尖峰，降低高频损耗与系统 EMI，集成完善过流、欠压、去饱和保护。兼顾高效与可靠，为新能源、电网、工控等高端装备提供高性能驱动保障。
是什么让我们的门极驱动器与众不同
快速响应
栅控速度更快，动态特性精准可控
01
高频适配
完美匹配 SiC 高频特性，开关损耗更低
02
高效节能
提升系统效率，适配高密度小型化设计
03
与我们的行业专家交谈
共同探索联研国芯所具有的独特价值
