【新品速递】适用于1200V ED3封装碳化硅器件的高性价比双通道驱动器

    北京联研国芯推出 2UEP0415T1A17 双通道碳化硅驱动器，该产品专为 1200V/1700V ED3 (EconoDUALTM) 封装 SiC-MOSFET 打造，是一款即插即用的高性价比驱动解决方案，凭借高效低功耗、多重保护、灵活适配等核心优势，可广泛满足工业变流器、新能源电力电子装置等领域的应用需求，为碳化硅器件的稳定高效运行提供可靠驱动支撑。

    作为针对 ED3 封装碳化硅器件的专用驱动器，2UEP0415T1A17，最大支持 100kHz 高频应用场景，搭配高隔离电源设计，兼顾驱动效率与电气安全，其单路输出功率可达 4W，门极最大输出脉冲峰值电流为 - 15~+20A，能精准匹配 1200V 碳化硅器件的驱动需求。产品同时具备高效低功耗特性，无负载状态下电源电流仅 60mA，有效降低系统整体功耗，契合新能源与工业领域的节能要求。

    在功能设计上，2UEP0415T1A17 构建了全方位的保护与智能管理体系，从器件安全和系统稳定双维度出发，打造多重防护屏障。产品集成短路保护、欠压 / 过压保护功能，其中短路保护响应时间仅 1.7μs，当检测到 SiC-MOSFET 漏源电压超阈值时，将立即启动软关断机制，通过 0.6μs 的软关断时间缓慢降低门极电压，避免因电流变化率过大造成器件过压损坏，且短路阻断时间达 90ms，充分保障器件安全；过欠压保护可同时监测原边、副边电源电压，电压异常时将快速关断器件并反馈故障信号，从源头规避欠压导致的器件微导通、开关损耗增加等问题。